尽管三星仍在努力争取与 NVIDIA 的 12hi HBM3e 认证，但其 HBM4 路线图似乎正在稳步推进。据韩国媒体ZDNet近日报道，三星正准备大规模生产 1c DRAM，这是决定该公司在 HBM4 竞争力的关键部件。三星已开始向其合作伙伴（如Lam Research）订购设备，以在其平泽四号工厂（P4）建立一条1c DRAM生产线。据报道，该安装预计将于2025年第一季度开始，第一批生产设备预计将于2月开始引进，一旦良率稳定，三星可能还会追加投资。此前 1c DRAM 的生产仅限于试验线，据 ZDNet 报道，三星在 1c DRAM 方面确实取得了良好进展，在 2024 年第三季度首次获得了“优质芯片”。
所谓 “1c” DRAM 代表第六代 10nm 级 DRAM，电路线宽约为 11-12nm，比目前已商业化的 1b（第五代）DRAM 领先一代，预计三星将于明年独家开启全面商业化。此前三星已将 1a（第 4 代）DRAM 用于 HBM3e，但一直没通 NVIDIA 的供货测试，或许也是本次 HBM4 改用 1c DRAM技术的主要原因，颇有点破釜沉舟的意思。而其竞争对手 SK 海力士和美光将在 HBM3e 和 HBM4 上都坚持使用 1b DRAM，由于 SK 海力士已从 NVIDIA 手中夺得了 HBM3 和 HBM3E 订单的最大份额，在 HBM4 生产中采用自己的内部先进节点被视为三星在 HBM 市场的游戏规则改变者，并且是其能否重夺HBM市场王位的关键因素。
在完成逻辑芯片的性能验证后，三星计划向客户提供 HBM4 样品进行测试。这对三星来说将是一个重要的里程碑。《每日经济新闻》此前的报道透露，这家内存巨头已经开始开发“Custom HBM4”，这是专为微软和 Meta 等 CSP 客户量身定制的下一代高带宽内存，预计也将于 2025 年实现量产。
三星最近的一系列动向在 HBM4 领域的动作显示出其在高带宽内存市场中的雄心和竞争力：
- 技术领先：三星计划在 HBM4 中采用 1c DRAM 和 4nm 工艺的逻辑芯片。这不仅提高了内存的性能和能效，还展示了三星自有先进制程技术上的领先地位。
- 市场策略：三星加速了 HBM4 的开发和量产进程，计划在 2025 年底前实现量产，而最新的动向是，整个产业链已在NVIDIA需求推动下，将量产时间提前半年至2025年年中。三星依然保持着对市场需求的敏锐洞察力，尤其是在面对 NVIDIA 等大客户的需求时，能够迅速调整其产品路线图。
- 竞争优势：三星在 HBM4 中采用混合键合技术来堆叠 16 层产品 1c DRAM，这将进一步提升内存的性能和电源效率。相比之下，SK 海力士和美光仍在使用第五代 10nm 级 1b DRAM ，这使得三星在技术上具有一定的领先优势。
- 客户定制化：三星正在开发“Custom HBM4”，专为微软和 Meta 等客户量身定制HBM产品。这种定制化的解决方案能够更好地满足客户的特定需求，增强了三星在高端市场中的竞争力。
- 市场前景：随着 AI 和高性能计算需求的不断增长，HBM4 的市场前景非常广阔。三星通过提前布局和技术创新，有望在这一领域占据重要地位。